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SI9933CDY-T1-GE3  与  BSO211P H  区别

型号 SI9933CDY-T1-GE3 BSO211P H
唯样编号 A36-SI9933CDY-T1-GE3 A-BSO211P H
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ@4.8A,4.5V 54mΩ
上升时间 - 13ns,13ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2W
Qg-栅极电荷 - -10nC,-10nC
栅极电压Vgs ±12V 12V
正向跨导 - 最小值 - 8S,8S
典型关闭延迟时间 - 23ns,23ns
FET类型 2P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 4A 4.6A
工作温度 -50℃~150℃ -55°C~150°C
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
系列 - BSO211
长度 - 4.9mm
下降时间 - 27ns,27ns
典型接通延迟时间 - 9ns,9ns
高度 - 1.75mm
库存与单价
库存 16,579 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.749
100+ :  ¥1.342
1,250+ :  ¥1.177
2,500+ :  ¥1.111
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50℃~150℃ 20V

¥1.749 

阶梯数 价格
30: ¥1.749
100: ¥1.342
1,250: ¥1.177
2,500: ¥1.111
16,579 当前型号
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-55°C~150°C(TJ) SOP 5.8A 2W 40mΩ 20V 12V P-Channel

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